Der Laser MicroJet® ermöglicht ein qualitativ hochwertiges Schneiden von Halbleitermaterial wie Silizium (Si), Galliumarsenid (GaAs), Germanium (Ge), Indiumphosphat (InP), Siliciumkarbit (SiC), Galliumnitrid (GaN), Galliumphosphat (GaP), andere Halbleiter Verbundstoffe sowie Low-κ Wafer.

Die Hauptanwendungen sind Trennen von Scheiben, Kantenschleifen, Ritzen, Bohren, Schlitzen, Nuten, Isolieren, Dünnen und Markieren. Spezifische Anwendungen wurden für die Verarbeitung dünner (ultra-dünner) Scheiben, Multi-Projekt-Scheiben, Leistungshalbleiter und Licht emittierende Dioden entwickelt.

Der über Wasserstrahl geführte Laser erlaubt multi-direktionales schneiden mit hoher Genauigkeit (+/- 3 µm) bei Geschwindigkeiten von bis zu 300 mm/s. Gleichzeitig wird ein Absplittern (chipping), Ablagerungen, thermische Beschädigung und mechanische Belastung eliminiert.